最近媒体铺天盖地报道三星的3nm将要投产，而且是划时代的GAA（围绕栅极）晶体管。“到底是骡子是马”还欠好下判断，也许是4nm翻车让三星痛定思痛，加速了进度；也有可能是公关障眼法。
在TheElec最新报道提到，三星最快本周最先试产3nm工艺，第一个客户来自中国矿机芯片厂商，名为PanSemi。
这似乎解释，PanSemi资金雄厚且胆子挺大，事实三星3nm初期产能很低。
企查查工商信息显示，PanSemi实为上海磐矽半导体手艺有限公司，2016年才确立，实缴注册资源4500万。遗憾的是，该公司其它资料不多，官网十分简陋，宣布的企业参保人数也仅有3人。
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回到3nm自己，根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA手艺的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。相较于现在应用在5nm、7nm上最先进成熟的FinFET晶体管，GAA可以更准确地控制电流、栅极宽度也更窄。
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